AI应用ღ◈ღ。营业许可ღ◈ღ。人工智慧ღ◈ღ，pp电子APPღ◈ღ，光刻胶是一种对光敏感的混合液体ღ◈ღ，其可以通过光化学反应ღ◈ღ，经曝光ღ◈ღ、显影等光刻工序将所需要的微型图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上ღ◈ღ。光刻胶的性能决定了集成电路的集成度ღ◈ღ，进而决定了芯片的核心性能ღ◈ღ，其是IC制造工艺中最关键的耗材ღ◈ღ。制备光刻胶所用原材料的技术壁垒极高ღ◈ღ，原材料金属杂质需控制在5个ppb以下（十亿分之五ღ◈ღ，等同于一个泳池里不超过5滴水是杂质）ღ◈ღ，与此同时ღ◈ღ，分子结构设计ღ◈ღ、化学合成一致性ღ◈ღ、配方工艺设计等原材料制备核心技术也仅被少数厂商拥有ღ◈ღ，因此导致全球光刻胶市场极度集中ღ◈ღ。QYResearch （恒州博智）预计全球半导体光刻胶市场2024年将同比增长7%ღ◈ღ，市场规模达到26亿美元ღ◈ღ，2024-2030年复合年增长率将接近8%ღ◈ღ。根据TrendBank（势银）的数据ღ◈ღ，2023年中国半导体光刻胶市场规模约为34亿元ღ◈ღ，同比下滑 13.98%ღ◈ღ。随着下游客户库存的持续改善和产能利用率逐步恢复ღ◈ღ，以及AIღ◈ღ、智能汽车等应用的发展ღ◈ღ，预计 2024年中国半导体光刻胶市场有望恢复至38亿元ღ◈ღ，同比增长14.01%ღ◈ღ。

　　光刻技术的原理起源于印刷技术中的照相制版ღ◈ღ，即在一个平面上加工形成微图形ღ◈ღ，随着器件尺寸的不断缩小睁开眼看着我怎么吸你的视频ღ◈ღ，光刻技术也从最初的接触式ღ◈ღ、接近式曝光发展到目前普遍使用的投影式曝光ღ◈ღ。

　　光刻工艺是半导体制造中的核心工艺步骤之一ღ◈ღ。主要作用是将掩膜板上的图形转移到硅片上ღ◈ღ，为后续进行刻蚀或离子注入工序做好准备ღ◈ღ。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干（前处理）ღ◈ღ、涂胶ღ◈ღ、软烘ღ◈ღ、对准曝光ღ◈ღ、后烘（PEB）ღ◈ღ、显影ღ◈ღ、硬烘ღ◈ღ、刻蚀ღ◈ღ、检测等工序ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，光刻工艺在芯片制造中不仅是技术难度最高的步骤ღ◈ღ，也是成本占比最高的环节ღ◈ღ：其耗时占比40-50%ღ◈ღ，所以对质量控制的要求非常严格ღ◈ღ，考虑到光刻机折旧ღ◈ღ，光刻工艺的成本占芯片制造成本的35%ღ◈ღ。其中ღ◈ღ，光刻胶的成本占芯片制造成本的5.4%ღ◈ღ。

　　光刻工艺中最为关键的两步为曝光和显影ღ◈ღ，光刻胶曝光后基片将被泡入显影溶液中进行显影ღ◈ღ，显影过程中ღ◈ღ，一类光刻胶被曝光过的区域溶解速度要快得多ღ◈ღ，而未曝光的区域溶解度保持不变ღ◈ღ，这类光刻胶为正性胶ღ◈ღ。与正胶相反ღ◈ღ，一类光刻胶在显影剂中未曝光的区域将被溶解ღ◈ღ，而曝光的区域将留下ღ◈ღ，这类光刻胶为负性胶ღ◈ღ，目前ღ◈ღ，光刻工艺中所采用的光刻胶绝大部分为正性胶ღ◈ღ。

　　当前ღ◈ღ，IC制造用光刻胶配方主要有以下成分ღ◈ღ：成膜树脂ღ◈ღ、光致产酸剂睁开眼看着我怎么吸你的视频ღ◈ღ、其他添加剂（溶剂+助剂）ღ◈ღ。具体来看ღ◈ღ，成膜树脂占光刻胶内部的10%-40%,主要为惰性的化学聚合物ღ◈ღ，决定光刻胶的在硅片上的附着ღ◈ღ；光致产酸剂（PAG）为光刻胶的核心部分ღ◈ღ，其在光照后将改变成膜树脂在显影液中的溶剂度ღ◈ღ，占比在1%-6%ღ◈ღ；其他添加剂如溶剂（占50%-90%）ღ◈ღ、助剂（占比＜1%）将起到溶解ღ◈ღ、调节作用ღ◈ღ，改善了光刻胶的整体性能ღ◈ღ。

　　芯片工艺制程历经70年发展已实现μm级到nm级的突破ღ◈ღ，随着工艺制程的不断提升对应的光刻胶产品也在逐渐升级迭代ღ◈ღ，根据芯片不同制程ღ◈ღ，光刻胶可依次分为G线ღ◈ღ、I线ღ◈ღ、KrF光刻胶ღ◈ღ、ArF光刻胶ღ◈ღ、EUV光刻胶ღ◈ღ。

　　G&I线光刻胶（光源波段ღ◈ღ：G线nm）也是型号最早的光刻胶产品ღ◈ღ。G线与I线光刻胶均使用线性酚醛作为树脂主体ღ◈ღ，重氮萘醌成分（DQN体系）作为感光剂ღ◈ღ，可以十倍或者更大的倍数降低光刻胶在显影液中的溶解速度ღ◈ღ。

　　G&I线nm)及其以上尺寸的集成电路制作ღ◈ღ，主要应用在6/8英寸的晶圆上ღ◈ღ，同时应用于液晶平板显示等较大面积电子产品的制作ღ◈ღ。2020年我国半导体光刻胶细分市场需求中ღ◈ღ，G&I线%ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，G&I线%以下ღ◈ღ，国内出货量较大的厂商包括北京科华（上市公司彤程新材子公司）与苏州瑞红（上市公司晶瑞电材子公司）ღ◈ღ。

　　KrF光刻胶（光源波段ღ◈ღ：248nm）使用聚对羟基苯乙烯及其衍生物作为成膜树脂ღ◈ღ，使用磺酸碘鎓盐和硫鎓盐作为光致产酸剂ღ◈ღ；KrF光刻胶曝光后ღ◈ღ，曝光区域的光致酸剂（PAG）将会产生一种酸ღ◈ღ，这种酸在后热烘培工序间作为催化剂使得树脂在显影液中变得易于溶解ღ◈ღ。KrF光刻胶的曝光速递是G&I线倍pp电子游戏ღ◈ღ，对深紫外光源具有良好的光学敏感性ღ◈ღ，同时具有高对比度ღ◈ღ，对高分辨率等优点ღ◈ღ。

　　KrF光刻胶适用0.15um（150nm）-0.25um(200nm)及其以上尺寸的集成电路制作ღ◈ღ，主要应用在8/12英寸的晶圆上ღ◈ღ。2020年我国半导体光刻胶细分市场需求中ღ◈ღ，KrF光刻胶的占比约为37%ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，KrF光刻胶国产化率在5%以下ღ◈ღ，主要依赖从东京应化等日系厂家进口ღ◈ღ，国内量产出货的厂商主要是北京科华（上市公司彤程新材的子公司）ღ◈ღ。

　　ArF光刻胶（光源波段ღ◈ღ：193nm）多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物ღ◈ღ，环烯烃-马来酸酐共聚物等作为成膜树脂ღ◈ღ，由于化学结构的缘故ArF光刻胶需要有比KrF光刻胶更加敏感的光产致酸剂ღ◈ღ。

　　ArF光刻胶为第四代光刻胶ღ◈ღ，对应芯片制程在7nm-0.13um（130nm）及其以上尺寸的集成电路制作睁开眼看着我怎么吸你的视频ღ◈ღ，主要应用在12英寸的晶圆上ღ◈ღ。ArF光刻胶在行业中属于高端光刻胶ღ◈ღ，下游应用基本属于高端芯片领域ღ◈ღ。2020年我国半导体光刻胶细分市场需求中ღ◈ღ，ArF线%ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，ArF光刻胶整体国产化率在1%以下ღ◈ღ，基本上全部依赖于进口ღ◈ღ，国内只有上市公司南大光电能生产出样品并给下游客户送样pp电子游戏ღ◈ღ。

　　EUV光刻胶（光源波段ღ◈ღ：13.5nm）属于尖端芯片制造化学材料睁开眼看着我怎么吸你的视频ღ◈ღ，目前仅有日本东京应化ღ◈ღ、合成橡胶（JSR）ღ◈ღ、信越等3-4家厂商具备该项光刻胶的制备技术ღ◈ღ。EUV光刻胶对应市面最尖端的极紫外（EUV）光刻机ღ◈ღ，我国由于EUV光刻机受到美国禁运（2018年中芯国际下单的机台仍未到货）ღ◈ღ，所以暂未开展EUV光刻胶的研发工作ღ◈ღ。

　　EUV光刻胶主要针对7nm及其以下超高制程芯片的生产ღ◈ღ，技术壁垒极高ღ◈ღ，EUV光刻胶下游应用包括5G技术ღ◈ღ、人工智能等尖端领域ღ◈ღ。IPhone 14 Pro搭载的A16仿生芯片就是由台积电4nm的EUV产线生产ღ◈ღ。

　　一是半导体光刻胶制备对原材料的技术要求极高,以成膜树脂ღ◈ღ、产酸剂为例ღ◈ღ，其在金属杂质ღ◈ღ、晶杂质点ღ◈ღ、稳定性上要求极高ღ◈ღ，国内鲜有公司能供ღ◈ღ。究其原因在于有机化学在最终化学品的合成上存在极大的不确定性ღ◈ღ，需要运用先进的设计手段ღ◈ღ、工艺设备水平来确保合成化学品的一致性与优良性能ღ◈ღ。举例说明ღ◈ღ，半导体光刻胶所用树脂单体的金属杂质要求在1ppb（十亿分之一）ღ◈ღ，而面板所用树脂单体对该指标的要求是100ppbღ◈ღ。

　　二是半导体光刻工业是芯片制造的核心工艺ღ◈ღ，会影响后续其他工艺睁开眼看着我怎么吸你的视频ღ◈ღ。晶圆厂每一批次25片只抽检2片ღ◈ღ，如果光刻胶出问题ღ◈ღ，后续会导致严重的连锁反应睁开眼看着我怎么吸你的视频pp电子游戏ღ◈ღ，台积电历史上出现过几万片晶圆报废的事件ღ◈ღ，每一片14nm制程晶圆的成本约为7,000美元ღ◈ღ。新的光刻胶的测试不仅需要晶圆厂的同意ღ◈ღ，也需要芯片设计客户的同意ღ◈ღ。举例说明ღ◈ღ，中芯国际想测试新的光刻胶需要作为客户的华为同意ღ◈ღ，但华为希望其他公司先尝试ღ◈ღ，其他公司则希望华为先试用ღ◈ღ，所以半导体光刻胶新供应商的验证通常需要2-3年ღ◈ღ。

　　根据SEMI对全球光刻胶市场的测算ღ◈ღ：2015年全球半导体光刻胶（不含EUV光刻胶）约有13亿美元的市场规模ღ◈ღ，至2020年ღ◈ღ，该市场规模已经增长到约21亿美元ღ◈ღ，且2019年至2020年增速超20%ღ◈ღ。

　　EUV光刻胶现阶段用量较少ღ◈ღ，2021年用量不超过0.5亿美元ღ◈ღ，预计到2025年将接近2亿美元ღ◈ღ。

　　国内来看ღ◈ღ，半导体光刻胶市场规模在2015年约为1.3亿美元ღ◈ღ，2020年pp电子游戏ღ◈ღ，中国半导体光刻胶市场整体已经增长至约3.5亿美元ღ◈ღ，且2019年至2020年中国市场的增速约为40%ღ◈ღ，远超全球光刻胶市场的增速ღ◈ღ。

　　市场占比格局来看ღ◈ღ，15-20年ღ◈ღ，先进制程的逐步普及大大拉动了以KrF光刻胶ღ◈ღ、ArF光刻胶ღ◈ღ、EUV光刻胶为代表的高尖端光刻胶产品份额ღ◈ღ。根据IC Insights测算ღ◈ღ，2024年20nm以下制程占比将达50%（其中10nm以下制程占比接近30%）ღ◈ღ，高端光刻胶市场将进一步得到释放ღ◈ღ。

　　就行业趋势而言ღ◈ღ，总体上全球半导体行业还在有序扩张ღ◈ღ，且从更长期范围来看半导体市场尚处于婴儿期ღ◈ღ，在此大背景下行业内的投资仍在不断加速ღ◈ღ，未来市场规模提升的确定性仍然显著ღ◈ღ。

　　高德纳咨询2020年发布的预测分析显示ღ◈ღ，全球半导体市场规模到2026年将增长26.3%ღ◈ღ，其中10%的增长来自于包括汽车ღ◈ღ、智能手机ღ◈ღ、数据中心等终端智能设备的需求推动ღ◈ღ，作为芯片制备最重要的原材料光刻胶也将势必跟随行业休戚与共ღ◈ღ，一同发展ღ◈ღ。

　　国内市场来看ღ◈ღ，光刻胶领域主要玩家包括ღ◈ღ：晶瑞电材ღ◈ღ、南大光电ღ◈ღ、上海新阳ღ◈ღ、北京科华ღ◈ღ、徐州博康等企业ღ◈ღ，国内目前在低端的G&I线光刻胶里实现量产ღ◈ღ，中高端的KrFღ◈ღ、ArF光刻胶还在逐步研发中ღ◈ღ，大部分尚在量产认证ღ◈ღ，目前国内还没有能力研发实验室阶段最高端的EUV光刻胶ღ◈ღ。

　　晶瑞电材的全资子公司苏州瑞红是国内半导体光刻胶龙头ღ◈ღ，拥有紫外宽谱系列光刻胶ღ◈ღ、g线系列光刻胶ღ◈ღ、i线系列光刻胶等近百种型号光刻胶量产供应市场ღ◈ღ。在DUV高端光刻胶方面ღ◈ღ，已有多款KrF光刻胶量产ღ◈ღ，ArF光刻胶多款产品已向客户送样ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，苏州瑞红起步时间较早ღ◈ღ，拥有紫外宽谱ღ◈ღ、g线ღ◈ღ、i线ღ◈ღ、KrFღ◈ღ、ArF全系列光刻机以及配套测试实验设备ღ◈ღ，研发团队经验丰富且人员充足ღ◈ღ。紫外宽谱系列光刻胶多年来稳居国内市占率第一ღ◈ღ；i线光刻胶系列产品在完成国家重大科技项目02专项项目后规模化向中芯国际ღ◈ღ、长鑫存储ღ◈ღ、华虹半导体ღ◈ღ、晶合集成等国内知名半导体企业供货ღ◈ღ；在DUV光刻胶方面和中国石化集团全面合作ღ◈ღ，多款KrF光刻胶已量产出货ღ◈ღ；ArF高端光刻胶研发工作加速进行中ღ◈ღ，多款产品已向客户送样并开展验证ღ◈ღ。

　　南大光电是国内ArF光刻胶领先的公司ღ◈ღ，公司立项的国家重大科技02专项《高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发》和《ArF光刻胶产品的开发和产业化》项目均已经通过验收ღ◈ღ。2020年ღ◈ღ，南大光电自主研发的ArF光刻胶产品成功通过客户50nm闪存中的控制栅认证ღ◈ღ。根据认证评估报告ღ◈ღ，南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求ღ◈ღ，良率结果达标ღ◈ღ，公司成为通过产品验证的第一家国产ArF光刻胶企业ღ◈ღ，目前公司ArF设计产能25吨ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，南大光电光刻胶业务由子公司宁波南大光电承接ღ◈ღ，南大自身投资3亿元ღ◈ღ，国家补贴6亿元ღ◈ღ，国家大基金投资1.8亿元ღ◈ღ，南大光电是国内为数不多拥有先进ArF浸润式光刻机的厂商ღ◈ღ，公司着重发展ArF光刻胶产品ღ◈ღ，目前专注于突破ArF光刻胶的湿法制备技术ღ◈ღ。

　　上海新阳主打KrF和ArF光刻胶ღ◈ღ，相关产线定增预案ღ◈ღ，公司拟定增募资不超过14.50亿元ღ◈ღ，其中8.15亿元拟投资于集成电路制造用高端光刻胶研发ღ◈ღ、产业化项目ღ◈ღ，主要目标为实现ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3DNAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶的产业化ღ◈ღ，上述产品预计在2023年批产ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，上海新阳的KrF光刻胶和干法制备ArF光刻胶仍处于中试阶段ღ◈ღ。新阳的优势在于资金实力强ღ◈ღ，已经购买了生产KrF光刻胶的生产设备ღ◈ღ，还有其他产品的销售已经建立良好的客户关系ღ◈ღ，公司生产的光刻后续工艺PVD/CMP所需的研磨液产品市场反响较好pp电子游戏ღ◈ღ。

　　北京科华是上市公司彤程新材（603650.SH）的子公司ღ◈ღ，公司是唯一被SEMI列为全球光刻胶八强的中国光刻胶公司ღ◈ღ。公司半导体光刻胶产品覆盖KrFღ◈ღ、G/I线年上半年半导体光刻胶业务实现营业收入1.28亿元ღ◈ღ，同比增长54.43%ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，北京科华是国内销售额最高的半导体光刻胶公司ღ◈ღ，之前与美国杜邦合作光刻胶原材料树脂的开发ღ◈ღ。I线光刻胶已经获得华虹半导体ღ◈ღ、合肥长鑫的订单ღ◈ღ。2024年上半年公司已导入多款高分辨KrFღ◈ღ、ArF光刻胶(含干式和浸润式)和BARC底部抗反射涂层等产品在客户端验证ღ◈ღ，并陆续通过客户产品认证ღ◈ღ，其中ArF光刻胶已开始形成销售ღ◈ღ。

　　徐州博康是上市公司华懋科技（603306.SH）的联营公司ღ◈ღ，主要销售光致产酸剂（PAG）ღ◈ღ、溶液ღ◈ღ、树脂等光刻胶原材料ღ◈ღ，并承担了国家重大科技02专项《ArF光刻胶单体产品开发及产业化》项目ღ◈ღ，相关产品已通过验收ღ◈ღ。公司2021年获得华为的战略投资ღ◈ღ。根据上市公司公告ღ◈ღ，2024年上半年徐州博康业务实现营业收入8,990.35万元ღ◈ღ，净亏损-12,697.39万元ღ◈ღ。

　　作者调研了解到ღ◈ღ，徐州博康的优势是产业链比较完整ღ◈ღ，也是华为投资的主要原因ღ◈ღ。公司过去为日本合成橡胶（JSR）提供代工服务ღ◈ღ，由JSR提供化学式ღ◈ღ。目前公司有3款KrF光刻胶产品处于客户早期验证阶段ღ◈ღ，潜在客户包括上海华力和中芯北方ღ◈ღ。

　　光刻胶作为半导体制造环节中的关键材料ღ◈ღ，国内经过多年的发展已有突破性进展ღ◈ღ。在国家出台相关利好政策的背景下ღ◈ღ，中国光刻胶制造商在光刻胶研发技术上积极性革新ღ◈ღ，当前中国光刻胶的研发技术水平逐渐提高ღ◈ღ，在制造工艺技术和配方工艺领域积累了丰富经验ღ◈ღ，中国光刻胶行业正加速发展ღ◈ღ。未来ღ◈ღ，随着中国光刻胶企业对光刻胶的研发投入持续上升ღ◈ღ，光刻胶企业的技术水平将不断提高ღ◈ღ，中国有望打破国外企业在光刻胶市场的垄断格局ღ◈ღ，国产光刻胶有望迎来发展新机遇ღ◈ღ。

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